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CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。
產品時間:2021-12-03
訪問量:1170

CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片LD-FPA-640x512

 CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片LD-FPA-640x512此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。

Features(特點)

640*512陣列格式

15/25um 象元間距

Kovar metal一級制冷

低暗電流

高量子效率

高操作性

Applications(應用)

近紅外成像

超光譜

秘密監察

半導體檢測

天文學和科學

工業熱成像

FPA-640*512說明

參數

單位

min

max

工作溫度范圍

-20

+85

儲存溫度范圍

-40

+85

功耗

mW

---

325

TEC 電流

A

---

1.8

TEC 電壓

V

---

15.4

FPA Characteristics(FPA特性)

參數

典型值

條件

光譜響應

0.9-1.7um

---

小像素的可操作性

>99%

636*508內的中心地區

暗電流

<0.2PA

25℃,0.1V探測器偏壓

量子效率

>70%

λ=1.0um-1.6um

探測率

≥5*1011 jones

25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益

響應非均勻性

<10%

飽和度低于50%,25℃

非線性(大偏差)

<2%

超過15%-85%全阱容量,低增益

大像素率

10MHz

---

增益

High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e-

25℃

TEC 制冷

ΔT>70℃

無需加載

隨著技術的不斷革新,現CLPT公司也提供:

1)CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,響應波段在1.2-2.2um范圍的320*256面陣探測器;

2)CLPT320×256-K短波紅外探測器體積更小,質量更輕的320x256和640x512面陣探測


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